技術參數(shù)
| 品牌： | TI德州儀器 |
| 型號： | CSD18511KTT |
| 批號： | 新年份 |
| 封裝： | TO-263-3 |
| 數(shù)量： | 9999999 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-263-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 194 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 3.2 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 64 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 188 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 系列： | CSD18511KTT |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 商標： | Texas Instruments |
| 正向跨導 - 最小值： | 249 S |
| 下降時間： | 3 ns |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 6 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 17 ns |
| 典型接通延遲時間： | 8 ns |
| 單位重量： | 2 g |
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