技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | MJD122T4G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO252 |
| 數(shù)量： | 50000 |
| QQ： | |
| 描述： | TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| 對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期： | 7 周 |
| 詳細(xì)描述： | 晶體管-雙極-BJT-單-NPN-達(dá)林頓-100V-8A-4MHz-1.75W-表面貼裝型-DPAK |
| 數(shù)據(jù)列表： | MJD122/127, NJVMJD122/127; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 有源 |
| 類別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | MJD122T4GOS |
| 晶體管類型： | NPN - 達(dá)林頓 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 8A |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 100V |
| 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（值）： | 4V @ 80mA，8A |
| 電流 - 集電極截止（值）： | 10µA |
| 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）： | 1000 @ 4A，4V |
| 功率 - 值： | 1.75W |
| 頻率 - 躍遷： | 4MHz |
| 工作溫度： | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | DPAK |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。