微波探測光致電流瞬態(tài)譜儀采用微波技術探測材料的光生電流瞬態(tài)光譜值,非常適合溫度依賴的少子壽命測量和半導體界面陷阱。
微波探測光致電流瞬態(tài)譜儀特點
靈敏度：對半導體材料電學缺陷有靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等
重復性精度 gt; 99.5%，測量時間 lt; 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
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