一、產品概述：
650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝，制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動力系統、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。
二、勻膠顯影機工作原理：
顯影系統具有可編程閥，它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行，如沖洗（通常是去離子水或溶劑），然后干燥（通常是氮氣）等最后的處理步驟。采用此序貫閥門技術的晶圓片和管道在*干燥的環境中開通和關閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態的位置還可以蓋內調節。勻膠顯影機還有可選擇的動態線性或徑向滴膠的特性。
三、勻膠顯影機主要性能指標：
1、腔體尺寸：9.5英寸 (241 毫米)；
2、Wafer&芯片：直徑6英寸（150毫米）的晶圓片或者5x5英寸（125毫米）的方片；
3、非真空托盤：聚丙烯材質非真空托盤，可承載2、3英寸及150毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能；
3、轉動速度：0-3,000rpm；
5、馬達旋涂轉速：穩定性能誤差 < ±1%；
6、工藝時間設定：1-5999.9 sec/step 0.1 精度；
7、高精度數碼控制器：PLC控制，設置點精度小于0.006%；
8、程序控制：可存儲20個程序段，每個程序段可以設置51步不同的速度狀態；
9、分辨率：分辨率小于0.5轉/分，可重復性小于±0.5轉/分，美國國家標準技術研究院（NIST）認證過的，并且無需再校準！
10、腔體開關蓋板：透明ECTFE材質圓頂蓋板，便于實時進行可視化操作；
11、腔體材質說明：用聚丙烯材質制成的帶有聯動傳感觸點的合瓣式艙體；
四、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）
光刻膠顯影（KrF/ArF）
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理
邁可諾技術有限公司
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