一、濕法腐蝕機用途和特點：
1、 用途：主要用微細加工、半導體、微電子、光電子和納米技術工藝中在硅片、陶瓷片上顯影，濕法腐蝕，清洗，沖洗，甩干與光刻、烘烤等設備配合使用。設備能滿足各類以下尺寸的基片處理要求，并配制相應的托盤夾具。
2、濕法腐蝕機特點：
（1）外觀整潔、美觀，占地面積小，節省超凈間的使用面積；
（2）VoD頂蓋閥門控制技術 避免二次污染；
（3）顯影腐蝕液獨立的試劑供給管路；
（4）處理腔內差壓精準控制；
（5）滿足2英寸~12英寸的防腐托盤；
（6）試劑注射角度可調節；
（7）設計的“腔洗"構造，保證“干進干出"；
（8） 濕法腐蝕機具備高性能、低故障率、長使用壽命、易操作維修、造型美觀、售后服務完備。
二、濕法腐蝕機主要性能指標：
1. 系統概述
1.1智能嵌鎖，系統蓋板具有智能嵌鎖裝置，確保操作安全；
1.2保護氣體，CDA（清潔干燥氣體）/氮氣（N2）,氣壓60~70PSI；
1.3通信接口，藍牙連接；
2. 基片及處理方式
2.1 基片尺寸滿足直徑300mm以內基底材料；
2.2 基片處理方式，手動上下載；
3. 控制系統
3.1 用戶界面，650高精度數顯屏/基于Windows的SPIN3000操作軟件；
3.2 可存儲20個程序段；
3.3 51 驟工藝步驟；
3.4時間設定范圍，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；
3.5旋轉速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (帶安全罩)；
3.6馬達加速度，1–12,000 rpm/s；
4. 試劑分配系統
4.1 化學試劑分配
4.1.1 A標準腔洗 Bowl Wash 1路純水和1路氮氣；
4.1.2 B 背部清洗 Back Riser 1路純水；
4.1.3 C 樣片沖洗甩干 1路純水和1路氮氣；
4.1.4 D 自定義化學試劑可同時接入（根據用戶應用選擇幾路液體）自定義的化學試劑（顯影液/腐蝕液/其他清洗液）；
4.2試劑供給方式
*4.2.1 A 系統所需純水和氮氣以及壓縮氣體（可用氮氣替代）由實驗室自行供應；
4.2.2 B 自定義化學試劑由氣動泵浦BP和壓力容器供給；
4.3 注射裝置采用日本霧的池內專用噴嘴；
三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）
光刻膠顯影（KrF/ArF）
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理
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