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當前位置:深圳容之芯科技有限公司>>集成電路>>PMIC/電壓基準>> AOWF7S65AOS 場效應管 AOWF7S65 MOSFET N-CH 650V 7A TO262F

AOS 場效應管 AOWF7S65 MOSFET N-CH 650V 7A TO262F

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:AOWF7S65
  • 品牌:
  • 產品類別:PMIC/電壓基準
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-11-04 18:30:50
  • 瀏覽次數:5
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深圳容之芯科技有限公司

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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:1175條
  • 所在地區:
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  • 最近登錄:2023-11-04
  • 聯系人:趙小姐
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產品簡介

技術參數品牌:AOS型號:AOWF7S65批號:20+封裝:TO-262F數量:30000QQ:對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:不適用於新設計產品族:分立半導體產品系列:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:AOS
型號:AOWF7S65
批號:20+
封裝:TO-262F
數量:30000
QQ:
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:不適用於新設計
產品族:分立半導體產品
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單
FET 類型:N 通道
漏源電壓(Vdss):650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc)
驅動電壓( Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值):650 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值):4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值):9.2nC @ 10V
Vgs(值):±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值):434pF @ 100V
FET 功能:-
功率耗散(值):25W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak
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