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當前位置:深圳市共強科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> SI7370DP-T1-GE3VISHAY 場效應管 SI7370DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

VISHAY 場效應管 SI7370DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:SI7370DP-T1-GE3
  • 品牌:
  • 產品類別:整流二極管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-31 09:05:39
  • 瀏覽次數:19
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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:957條
  • 所在地區:
  • 注冊時間:2023-10-30
  • 最近登錄:2023-10-30
  • 聯系人:周先生
  • 電    話:15012463773
產品簡介

技術參數品牌:VISHAY型號:SI7370DP-T1-GE3批號:1920封裝:PowerPAKSO-8數量:110000QQ:對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導體產品產品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:VISHAY
型號:SI7370DP-T1-GE3
批號:1920
封裝:PowerPAK SO-8
數量:110000
QQ:
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
系列:TrenchFET®
FET 類型:N 通道
漏源電壓(Vdss):60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9.6A(Ta)
驅動電壓( Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(值):11 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):4V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):57nC @ 10V
Vgs(值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(值):1.9W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:PowerPAK® SO-8
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