技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON |
| 型號(hào)： | MMBTH10LT1G |
| 批號(hào)： | 21+ |
| 封裝： | SO/DIP |
| 數(shù)量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 |
| 晶體管極性： | NPN |
| 配置： | Single |
| 集電極—發(fā)射極電壓 VCEO： | 25 V |
| 集電極—基極電壓 VCBO： | 30 V |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO： | 3 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 0.5 V |
| Pd-功率耗散： | 225 mW |
| 增益帶寬產(chǎn)品fT： | 650 MHz |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | MMBTH10L |
| 高度： | 0.94 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 寬度： | 1.3 mm |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 60 |
| 單位重量： | 8 mg |
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