產品簡介
技術參數品牌：AOS型號：AOV11S60批號：20+封裝：DFN8x8數量：30000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：3（168小時）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | AOS |
| 型號： | AOV11S60 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | DFN 8x8 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 3（168 小時） |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單 |
| 系列： | aMOS™ |
| FET 類型： | N 通道 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 600V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | 650mA（Ta），8A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 500 毫歐 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 4.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 11nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±30V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 545pF @ 100V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 8.3W（Ta），156W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 4-PowerTSFN |
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