技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | ECH8697R-TL-W |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | 8-SMD |
| 數量： | 33000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | ECH-8 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 24 V |
| Id-連續漏極電流： | 10 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 11.6 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 12.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 6 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.6 W |
| 配置： | Dual |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 系列： | ECH8697R |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 下降時間： | 23600 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 230 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 19700 ns |
| 典型接通延遲時間： | 160 ns |
| 單位重量： | 18.150 mg |
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