OTL-PECVD-1200-1400-1200三溫區PECVD系統，由三臺滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統、抽氣系統、真空測量系統、電動拖動機構組成。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
這款三溫區PECVD系統是一款能夠快速加熱、冷卻的PECVD系統，是在三臺管式爐安裝一對電動滑軌，可用電動滑動系統。加熱和冷卻速率可達100°C/min。為取得加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10°C/s，是低成本快速加熱、冷卻的雙溫區PECVD系統。
這款三溫區PECVD系統以瑞典Kanthal電阻絲和硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端采用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa， 分兩個溫區，兩個溫區可以獨立控制、設置不同的溫度，使用方便，操作簡單，該爐子具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點，是高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒 結、生長石墨烯、生長各種薄膜的理想產品。
（1）、硅碳棒的熱端粗度d為14mm、一般廠家采用的12MM、加熱端粗、不容易彎曲、棒子的表面負荷低，使用壽命長。
（2）、m冷端長度為210mm， 一般廠家采用180mm, 冷端長爐頂溫度低。
（3）、硅碳棒表面氧化非晶膜致密，能夠比較好的保護碳棒。
當電路過流或漏電時，空開會自動斷開
該氣氛管式爐可配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出
（1）、真空吸濾成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛。
（2）、采用成型。
（3）、爐膛材料熱容低、熱傳導系數低，從而散熱少、保溫好、反射率高。溫場均衡。
（4）、爐膛氧化鋁絲細而長、耐溫高、抗熱漲冷縮能力強
（5）、爐膛表面光潔、不易掉粉。
（全部通過UL認證的進口電器）
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