OTL-PECVD-1200三溫區PECVD系統,由OTL1200真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統、抽氣系統、真空測量系統組成。
主要特點:
1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。
5、廣泛應用于:各種薄膜的生長,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
OL1200-PECVD系統以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件,采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表,移相觸發、可控硅控制,爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料,爐管兩端能不銹鋼法蘭密封,不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表,抽真空時真空度能夠達到10-3 Pa,具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能、等優點。
(3)、電阻均衡、溫場均衡性好
(4)、加熱元件:瑞典Kanthal A1 進口電阻絲 (電阻絲可承諾保修2年)
當電路過流或漏電時,空開會自動斷開
該爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個參數,并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況,爐子的實際升 溫曲線電腦會實時繪出,并能把每個時刻的溫度數據保存起來,隨時可以調出真空度。
(2)、采用成型。
(3)、爐膛里電阻絲的間距和節距全部按日本的熱工技術布置、經過熱工軟件模擬溫場
(4)、采用4周加熱,溫場更加均衡
(全部通過UL認證的進口電器)






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