碳化硅(SiC)具有半導性和良好的導熱性，近年來被應用于邊界層陶瓷電容器領域，通過控制邊界層的成分和結構，可以成功制備出高介電常數的SiC基邊界層陶瓷電容器，其高溫段的介電常數遠高于傳統的鈦酸鹽類介電材料，具有廣闊的應用前景。對SiC陶瓷電容器的前期研究結果發現，其高介電常數出現在高溫區；由于邊界層結構的影響，其介質損耗非常高。因此，如何降低SiC電容器的介質損耗是今后該領域研究的一個重點。為了解決這些問題，熱壓燒結爐需要選擇合適的第二相，降低SiC電容器的介質損耗，改善介電常數的溫度穩定性。
Ramirez和Subramanian等人發現具有類鈣鈦礦結構的CaCu3Ti4O12(CCTO)具有優異的介電性能。在100～600 K的溫度范圍內具有很高的介電系數，并且幾乎恒定不變，沒有發現有相變發生，這是鐵電或弛豫材料都難以達到的。由于的介電常數，CCTO被譽為“巨介電性能”材料。此外，CCTO還具有介質損耗較低、制備工藝簡單、燒結溫度低等優點，引起材料工作者的極大興趣。但是CCTO介電性能對制備過程很敏感。不同工藝條件制得的樣品的介電常數差別很大，進一步研究發現，CCTO內部缺陷和晶粒尺寸大小對其介電性能影響都比較大。D．Capsoni等研究了摻雜和CuO偏析對CCTO電輸運和介電性能的作用，通過Fe、Ni、Co取代Ti位和CuO偏析，可以使純CCTO試樣晶界層的介電性大大提高，而晶體的體電容率受摻雜物的影響很小(90≤ξ1≤180)，這表明其高介電性是由于晶界層的作用。他們指出：在空氣中，通過中溫(1323℃)固相反應，就可以制得內部阻擋層的CCTO電容器材料，通過選擇合適的摻雜物，可以有效提高CCTO的介電性能。
CCTO在常溫時就具有的介電常數，而且具有優異的溫度獨立性，沒有相變發生，CCTO的介電損耗較低，若使SiC與CCTO復合，制得SiC/CCTO復合陶瓷電容器，則有望獲得在低溫范圍和高溫范圍都具有介電常數的陶瓷電容器。
熱壓燒結爐
