新一代半導體激光器，利用3D光子晶體的拓撲結構，構造高Q 的半導體諧振腔，實現對激光芯片功率、線寬、調制速率、光束質量、發散角等特性的全面升級，同時綜合了EEL的生產便利性和VCSEL的封測便利性，成為性價比全面升級的新一代技術方案。
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新一代半導體激光器，利用3D光子晶體的拓撲結構，構造高Q的半導體諧振腔，實現對激光芯片功率、線寬、調制速率、光束質量、發散角等特性的全面升級，同時綜合了EEL的生產便利性和VCSEL的封測便利性，成為性價比全面升級的新一代技術方案
新一代半導體激光器，利用3D光子晶體的拓撲結構，構造高Q 的半導體諧振腔，實現對激光芯片功率、線寬、調制速率、光束質量、發散角等特性的全面升級，同時綜合了EEL的生產便利性和VCSEL的封測便利性，成為性價比全面升級的新一代技術方案。
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