技術參數
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD25402Q3A |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | VSONP8 |
| 數量： | 82060 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | VSONP-8 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 76 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 650 mV |
| Qg-柵極電荷： | nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 125 C |
| Pd-功率耗散： | 69 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 長度： | mm |
| 系列： | CSD25402Q3A |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel Power MOSFET |
| 寬度： | 3 mm |
| 下降時間： | 12 ns |
| 上升時間： | 7 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 25 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 單位重量： | mg |
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