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單晶少子壽命測(cè)試儀 非平衡少數(shù)載流子壽命測(cè)試儀

型號(hào)：SN/LT-3

.北京單晶少子壽命測(cè)試儀該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于   測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
.北京單晶少子壽命測(cè)試儀配備光源類(lèi)型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；
  余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
.北京單晶少子壽命測(cè)試儀測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式；.該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于   測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
.配備光源類(lèi)型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；
  余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式；.該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于   測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
.配備光源類(lèi)型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；
  余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式；.該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于   測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
.配備光源類(lèi)型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；
  余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式；.該儀器參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于   測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；
.測(cè)試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；
.可測(cè)單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；
.配備光源類(lèi)型：紅外光源，波長(zhǎng)：1.09μm；
  余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；
.前置放大器：放大倍數(shù)約25；
.測(cè)量方式：采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)讀數(shù)方式；