技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NTD2955T4G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | TO252 |
| 數量： | 12000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-4 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 12 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 180 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 15 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 55 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.38 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | NTD2955 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 類型： | MOSFET |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 正向跨導 - 最小值： | 8 S |
| 下降時間： | 48 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 45 ns |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 26 ns |
| 典型接通延遲時間： | 10 ns |
| 單位重量： | 4 g |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。