技術參數
| 品牌： | VISHAY/威世 |
| 型號： | SIS443DN-T1-GE3 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | DFN |
| 數量： | 12000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 40 V |
| Id-連續漏極電流： | 35 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 11.7 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 90 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | SIS |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 正向跨導 - 最小值： | 50 S |
| 下降時間： | 10 ns, 12 ns |
| 上升時間： | 10 ns, 40 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 48 ns,50 NS |
| 典型接通延遲時間： | 12 ns, 45 NS |
| 單位重量： | 339.505 mg |
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