產品簡介
技術參數品牌：安森美型號：PZT651T1G封裝：SOT223批次：1740+數量：10296類別：分立半導體產品晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個制造商：onsemi晶體管類型：NPN電流-集電極(Ic)（值）：2A電壓-集射極擊穿（值）：60V不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（值）：500mV@200mA
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | 安森美 |
| 型號： | PZT651T1G |
| 封裝： | SOT223 |
| 批次： | 1740+ |
| 數量： | 10296 |
| 類別： | 分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 |
| 制造商： | onsemi |
| 晶體管類型： | NPN |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 2 A |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（值）： | 500mV @ 200mA，2A |
| 電流 - 集電極截止（值）： | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）： | 75 @ 1A，2V |
| 功率 - 值： | 800 mW |
| 頻率 - 躍遷： | 75MHz |
| 工作溫度： | 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-261-4，TO-261AA |
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