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TH521系列半導體參數分析儀簡介：

TH521系列半導體參數分析儀是一款用于電路設計的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設計人員選擇適合自身應用的功率器件，讓其電力電子產品發揮*大價值。它可以評測器件在不同工作條件下的所有相關參數，包括IV參數（擊穿電壓和導通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設計的TH521系列半導體參數分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

TH521系列半導體參數分析儀特性：

TH521 的常規特性

? 高達 3.5kV/1800A的寬廣工作范圍

? 從 -50 °C 到 +250 °C 的全自動快速熱測試

? 自動創建功率器件（半導體和元器件）的技術資料

? 自動記錄功能可防止數據丟失

? AI輔助編寫python測試腳本

TH521 IV 套件特性

? 可對封裝和晶圓上器件進行全自動快速 IV 測量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）

? 窄 IV 脈沖寬度（*窄 10 μs）可防止器件自發熱，更準確地測試器件實際性能

? 示波器視圖（時域視圖）可以監測實際電壓/電流脈沖波形，以便進行準確測量

? 配置可以靈活擴展，添加 CV 和 Qg，將電流范圍從20 A擴展到 200A、 600 A 或1800 A

TH521 套件的完整特性

? IV 套件的全部特性

? 測量封裝器件在 3.5 kV 時的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及柵極電阻（Rg）

? 測量封裝器件的柵極電荷（Qg）曲線

? 計算功率損耗（傳導、驅動和開關損耗）

TH521系列半導體參數分析儀技術參數：

MCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（% + mV + mV）	*大電流
200mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	1A
2V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	1A
20V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	1A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A

電流范圍、分辨率和精度	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（%+A+A）	*高電壓
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	30V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	30V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	30V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	30V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	30V
1A	1uA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	30V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±30V
*小電流	10pA
脈沖*大占空比	5%（峰值超過100mA時）
脈沖*小寬度	10μs
脈沖*大寬度	100ms（峰值超過100mA時）
直流*大電流	±100mA
脈沖*大峰值	±1A
脈沖*大基值	±50mA（峰值超過100mA時）

HCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（% + mV + mV）	*大電流
200mV	100nV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)	20A
2V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	20A
20V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	20A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A

電流范圍、分辨率和精度	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（%+A+A）	*高電壓
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	40V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	40V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	40V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	40V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	40V
1A	1μA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	40V
20A	20μA	±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)	20V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±40V
*小電流	10pA
脈沖*大占空比	1%（峰值超過1A時）
脈沖*小寬度	50μs
脈沖*大寬度	1ms（峰值超過1A時）
直流*大電流	±100mA
脈沖*大峰值	±20A
脈沖*大基值	±100mA（峰值超過1A時）

MPSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（% + mV + mV）	*大電流
100mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	100mA
1V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	100mA
10V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	100mA
100V	100μV	±(0.012 + 2.5 + Io x 10)	20mA(≥40V) 50mA(≤40V)
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（%+A+A）	*高電壓
1nA	1fA	±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)	100V
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)	100V
100nA	100fA	±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)	100V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)	100V
10μA	10pA	±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)	100V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)	100V
1mA	1nA	±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)	100V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	100V
100mA	100nA	±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)	20V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±100V
*小電流	1fA

HVSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度±(%+mV)	*大電流
200V	200uV	±(0.03+40)	10mA
500V	500uV	±(0.03+100)	10mA
1500V	1.5mV	±(0.03+300)	10mA
3500V	3.5mV	±(0.03+600)	5mA
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（%+A+A）	*高電壓
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)	3500V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)	1750V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±3500V
*小電流	10fA

UHCU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度±(%+mV)
60V	100μV	±(0.2+10)
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測量分辨率	輸出/測量精度（%+A+A）
200A	200μA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A	500μA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
1800A	2mA	±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
脈沖*大占空比	0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
脈沖*小寬度	10μs
脈沖*大寬度	1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
脈沖*大峰值	200A、600A、1800A量程

MFCMU
頻率	頻率范圍	1kHz~10MHz
	*小頻率分辨率	1mHz
	頻率精度	±0.05%
AC電平	電平范圍	0~250mV
	分辨率	0.1mVrms
	精度	±(10%*設定值+2mV)
DC偏置	范圍	0~±25V
	分辨率	1mV
	準確度	1%*設定電壓+8mV
輸出阻抗		100Ω
測試端配置		四端對
測試時間		快速2.5ms中速90ms慢速220ms
電容	顯示范圍	0.00001pF~9.99999F
電容	*高準確度	0.05%

TH521系列半導體參數分析儀選型表：

TH521-35-20	IV: 3500V/20A
TH521-35-20C	IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-200	IV: 3500V/200A
TH521-35-200C	IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-600	IV: 3500V/600A
TH521-35-600C	IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800	IV: 3500V/1800A
TH521-35-1800C	IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg