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日立超g分辨肖特基場發射掃描電鏡 SU7000 維翰光電科技

產品二維碼
參   考   價: 22
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:
  • 品牌:
  • 產品類別:掃描器
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-09-04 17:09:08
  • 瀏覽次數:10
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產品簡介

1.采用*異的成像技術SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號

詳情介紹
1.采用*異的成像技術 SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。新設計的電子光學系統和檢測系統,使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子等信號,用戶可以在短時間內獲得更*面的樣品信息。 2.采用多通道成像技術 隨著用戶對成像需求的不斷增長,SU7000特新增了幾種探測器,還引進了相應的成像功能。SU7000*多可同時顯示和保存

1.采用*異的成像技術
SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細結構等多種檢測信號。新設計的電子光學系統和檢測系統,使得裝置可以同時接收二次電子和背散射電子等信號,用戶可以在短時間內獲得更*面的樣品信息。
2.采用多通道成像技術
隨著用戶對成像需求的不斷增長,SU7000特新增了幾種探測器,還引進了相應的成像功能。SU7000*多可同時顯示和保存6通道信號。實現了獲得樣品信息的*大化。
3.支持不同形狀樣品、多種觀察方法
1.大型樣品觀察;2.低真空觀察;3.超低溫觀察;4.實時觀察
等所需的樣品倉和真空系統都shi分完備,觀察方法也是yi應俱quam。

4.支持微納解析
采用肖特基發射電子槍,*大束流可達到200 nA,適用于各種微納解析。樣品倉形狀和接口設置支持EDX分析、EBSD、陰極熒光分析等,接口設備可通過選配附件滿足各種特s需求。
成像能力
追求信息*大化的檢測系統

隨著用戶對樣品數據的需求更加多元化,對檢測系統在短時間內捕捉更多的信息提出了更高的要求。SU7000的檢測系統可以在不改變WD等條件的前提下,更*效地獲取形貌、成分、晶體學以及發光等信息。真正實現了更快速、更*面的信息收集。

同一條件觀察
樣品:包裹有機物的金屬棒

通過UD、MD、LD探測器同時采集信號的應用實例 (加速電壓:1 kV)

通過UD、MD、LD探測器可以同時采集信號,UD可獲取表面微細形狀信息,MD可獲取表面有機物包覆狀態信息,LD可獲取整體凹凸形貌信息。在同一個條件下,實現了獲取信息的*大化。
采用可多通道顯示的GUI設計
優化信號顯示功能

成像單元在信號顯示上也作了*新升級。用戶可根據觀察需求,選擇不同的視場角和通道數。
單屏*多可同時顯示4通道信號。
導航功能(SEM MAP)可以輕松捕捉到顯示樣品倉內信息的CCD相機圖像和相機拍攝到的樣品圖像,快速顯示目標圖像。
使用雙屏顯示時,可在一個顯示屏上雙通道顯示1,280×960像素的圖像,另一個顯示屏專門用來顯示信號,*多可同時顯示6通道信號。

高自由度的界面布局
使用單屏時,可以單通道、雙通道、四通道顯示樣品信息,也可以顯示CCD相機圖像、樣品臺圖像/SEM MAP圖像等。而且操作畫面上的工具欄可以任意移動、添加和刪除。

支持雙屏顯示
1st顯示屏專門用來顯示圖像,2nd顯示屏用來顯示操作面板畫面。上圖左圖(1st顯示屏)是通過SU7000觀察到的鋼鐵中非金屬夾雜物的圖片。圖中清晰呈現出
UD、LD、UVD、MD、PD-BSED5個探測器捕捉到的圖像以及SEM MAP圖。右圖(2nd顯示屏)將操作面板菜單和圖像歷史記錄窗口在同一個畫面中顯示,界面
布局清晰明了。在實現實時監控圖像的同時,操作性能也得到了進一步提升。

可擴展觀察和分析方法
樣品倉和馬達臺

樣品倉外觀標配18個附件接口 馬達臺外觀XY軸可移動距離為135×100 mm

樣品倉可搭載*大直徑為φ 200 mm 高80 mm的樣品。大開倉設計,標配18個附件接口。樣品臺可搭載XY軸*大移動距離為135×100 mm,*重2 kg的樣品。搭載大型樣品和功能樣品臺*全不成問題。

支持動態觀察的檢測系統
SU7000可用于環境改變的動態觀察。低真空觀察時,可以選用PD-BSED(背散射電子探測器)、UVD、MD等各種探測器( )。
低真空環境的探測器選擇
左圖為通過MD(背散射電子),右圖為通過UVD(二次電子)探測器觀察到的金屬氧化物纖維的情況。兩張圖分別清晰地呈現出氧化物的分散狀態和纖維的堆積情況。
PD-BSED:響應速度提高
左圖是以一般的響應速度,約每兩秒掃描一次得到的圖像;右圖抑制了圖像的漂移,使得整體的畫質得到了大幅提升。隨著響應速度的提高,更適用于In-Situ觀察。

技術參數

項目內容
圖像分辨率二次電子分辨率0.8 nm/15 kV
0.9 nm/1 kV
放大倍率20~2,000,000 x
電子槍發射體ZrO/W熱場發射(肖特基熱場發射)
加速電壓0.1~30 kV (步進:0.01 kV)
束流*大200 nA
探測器標準探測器UD (上探測器)
MD (中探測器)
LD (下探測器)
選配探測器*1PD-BSED (半導體式背散射電子探測器)
UVD(高靈敏度低真空探測器 )
低真空模式*1樣品倉壓力范圍5~300 Pa
可使用探測器PD-BSED, UVD, UD, MD, LD
馬達臺馬達臺控制5軸馬達驅動
移動范圍X0~135 mm
Y0~100 mm
Z(WD)1.5~40 mm
T(傾斜角)-5~70°
R(旋轉角)360°
樣品尺寸*大直徑:φ200 mm, *大高度:80 mm
顯示器*123英寸LCD (1,920×1,080), 支持雙屏
圖像顯示模式全屏顯示模式1,280×960像素顯示
單屏顯示模式800×600像素顯示
雙屏顯示模式800×600像素顯示、1,280×960像素顯示 *2
四屏顯示模式640×480像素顯示
六屏顯示模式*2640×480像素顯示 *2
圖像數據保存保存圖像尺寸640×480、1,280×960、2,560×1,920、5,120×3,840、10,240×7,680
選配附件能譜儀(EDX)
X射線波譜儀(WDX)
電子背散射衍射(EBSD)
陰極熒光探測器(CL)
冷凍傳輸系統
各種功能樣品臺
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