
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | Onsemi |
| 型號(hào): | FQA28N15 |
| 批號(hào): | 21+ |
| 封裝: | N/A |
| 數(shù)量: | 600 |
| QQ: | |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 系列: | QFET® |
| FET 類型: | N 通道 |
| 技術(shù): | MOSFET(金屬氧化物) |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 33A(Tc) |
| 驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 90 毫歐 @ 16.5A,10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
| Vgs(值): | ±25V |
| 功率耗散(值): | 227W(Tc) |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝: | TO-3PN |
| 封裝/外殼: | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 漏源電壓(Vdss): | 150 V |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 52 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 1600 pF @ 25 V |
| 基本產(chǎn)品編號(hào): | FQA28 |






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