產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STGD5H60DF批號：20+封裝：原廠封裝數量：60000QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：DPAK-3安裝風格：SMD/SMT配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STGD5H60DF |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 封裝 / 箱體： | DPAK-3 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 600 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.5 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 10 A |
| Pd-功率耗散： | 83 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| 系列： | STGD5H60DF |
| 集電極連續電流 Ic： | 10 A |
| 集電極連續電流： | 5 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 250 nA |
| 單位重量： | 330 mg |
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