產品簡介
技術參數品牌：ON型號：MUN5216DW1T1G批號：21+封裝：SO/DIP數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：雙極晶體管-預偏置RoHS：是配置：Dual晶體管極性：NPN典型輸入電阻器：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | MUN5216DW1T1G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SO/DIP |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 雙極晶體管 - 預偏置 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 晶體管極性： | NPN |
| 典型輸入電阻器： | 4.7 kOhms |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 160 |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 50 V |
| 集電極連續電流： | 0.1 A |
| 峰值直流集電極電流： | 100 mA |
| Pd-功率耗散： | 187 mW |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | MUN5216DW1 |
| 直流電流增益 hFE 值： | 160 at 5 mA at 10 V |
| 高度： | 0.9 mm |
| 長度： | 2 mm |
| 寬度： | 1.25 mm |
| 單位重量： | 12 mg |
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