產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7911DN-T1-GE3批號：18+封裝：POWERPA數量：21875QQ：描述：MOSFET2P-CH20V4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7911DN-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | POWERPA |
| 數量： | 21875 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | MOSFET-陣列-2-個-P-溝道（雙）-20V-4.2A-1.3W-表面貼裝型-PowerPAK®-1212-8-雙 |
| 數據列表： | SI7911DN; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 停產 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI7911DN-T1-GE3TR |
| FET 類型： | 2 個 P 溝道（雙） |
| FET 功能： | 邏輯電平門 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 4.2A |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 51 毫歐 @ 5.7A，4.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | - |
| 功率 - 值： | 1.3W |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 雙 |
| 供應商器件封裝： | PowerPAK® 1212-8 雙 |
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