
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | STMICROELECTRONICS |
| 型號(hào): | STGW60H65DFB |
| 數(shù)量: | 5000 |
| 類別: | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 |
| 制造商: | STMicroelectronics |
| IGBT 類型: | 溝槽型場截止 |
| 電壓 - 集射極擊穿(值): | 650 V |
| 電流 - 集電極 (Ic)(值): | 80 A |
| 電流 - 集電極脈沖 (Icm): | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(值): | 2V @ 15V,60A |
| 功率 - 值: | 375 W |
| 開關(guān)能量: | 1.09mJ(開),626µJ(關(guān)) |
| 輸入類型: | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 柵極電荷: | 306 nC |
| 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值: | 51ns/160ns |
| 測試條件: | 400V,60A,5 歐姆,15V |
| 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr): | 60 ns |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |














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