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SI2377EDS-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝SOT23-3 批次21+

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:SI2377EDS-T1-GE3
  • 品牌:
  • 產品類別:沖壓加工
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-04 21:52:18
  • 瀏覽次數:5
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其他

  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:1106條
  • 所在地區:
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  • 最近登錄:2023-08-28
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產品簡介

技術參數品牌:VISHAY/威世型號:SI2377EDS-T1-GE3封裝:SOT23-3批號:21+數量:70000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導體產品產品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:VISHAY/威世
型號:SI2377EDS-T1-GE3
封裝:SOT23-3
批號:21+
數量:70000
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
系列:TrenchFET®
FET 類型:P 通道
漏源電壓(Vdss):20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.4A(Tc)
驅動電壓( Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(值):61 毫歐 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):1V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):21nC @ 8V
Vgs(值):±8V
功率耗散(值):1.25W(Ta),1.8W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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