產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：6N135M封裝：DIP-8批次：21+數量：30000制造商：ONSemiconductor產品種類：高速光耦合器RoHS：是封裝/箱體：DIP-8數據速率：1Mb/s通道數量：1Channel輸出類型：Phototransistor絕緣電壓：5000VrmsVf-正向電壓：1
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | 6N135M |
| 封裝： | DIP-8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 30000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 高速光耦合器 |
| RoHS： | 是 |
| 封裝 / 箱體： | DIP-8 |
| 數據速率： | 1 Mb/s |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 輸出類型： | Phototransistor |
| 絕緣電壓： | 5000 Vrms |
| Vf - 正向電壓： | 1.45 V |
| If - 正向電流： | 16 mA |
| Vr - 反向電壓 ： | 5 V |
| Pd-功率耗散： | 100 mW |
| 電流傳遞比： | 38 % |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 100 C |
| 系列： | 6N135M |
| 高度： | 3.94 mm |
| 長度： | 9.4 mm |
| 寬度： | 6.86 mm |
| 下降時間： | 1.5 us |
| 上升時間： | 1.5 us |
| 單位重量： | 891 mg |
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