N溝道 Si MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3針 TO-220AB封裝
| 通道類型 | N |
| 大連續(xù)漏極電流 | 29 A |
| 大漏源電壓 | 55 V |
| 大漏源電阻值 | 40 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 68 W |
| 典型接通延遲時間 | 7 ns |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 34 nC @ 10 V |
| 典型輸入電容值@Vds | 700 pF@ 25 V |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 31 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 8.77mm |
| 系列 | HEXFET |
| 高工作溫度 | +175 °C |
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