由于碳化硅的高溫性能，車用SiC Mosfet的高溫表現也十分優異，在高溫狀態下，IGBT的效率會迅速下降，而SiC Mosfet直到200度都能維持正常效率表現。這也是為什么在當今電動車行業中，只有特斯拉一家能夠通過提高驅動模塊的工作溫度來保證動力系統的長時間高功率輸出。在特斯拉完成SiC的應用后，其他車廠紛紛選擇跟進，但他們可能面臨的問題是嚴重缺乏SiC功率元器件。
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由于碳化硅的高溫性能，車用SiCMosfet的高溫表現也十分優異，在高溫狀態下，IGBT的效率會迅速下降，而SiCMosfet直到200度都能維持正常效率表現
由于碳化硅的高溫性能，車用SiC Mosfet的高溫表現也十分優異，在高溫狀態下，IGBT的效率會迅速下降，而SiC Mosfet直到200度都能維持正常效率表現。這也是為什么在當今電動車行業中，只有特斯拉一家能夠通過提高驅動模塊的工作溫度來保證動力系統的長時間高功率輸出。在特斯拉完成SiC的應用后，其他車廠紛紛選擇跟進，但他們可能面臨的問題是嚴重缺乏SiC功率元器件。
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