研究背景：電子測量儀器作為基礎科研工具，是國家科研自主可控的重要環節。在半導體器件、超導材料和光電器件等測試領域中，為了更**地檢測器件特性，提升整個測試系統的效率，往往對供給電源和測量同步性方面有更嚴苛的要求。
TH1991/TH1992系列精密源/測量單元可輸出高達±210V直流電壓、±3A直流電流以及±10.5A脈沖電流、*小10fA/100nV的電源和測量分辨率，支持高速采樣，可生成任意波形。
TH1992為雙通道版本，相較于單通道版本，TH1992支持雙通道同步輸出及測量，對于3端器件的測試更友好，可極大提升測試效率。
一、二極管I/V特性
晶體二極管也稱為半導體二極管，簡稱二極管（Diode）。內部由一塊P型半導體和N型半導體經特殊工藝加工，在其接觸面上形成一個PN結。外部有兩個電極，分別稱為正極（P型區一側）和負極（N型區一側），使用時不能將正負極接反。
因此，二極管具有單向導電性，可用于整流、檢波、穩壓等電路中。用來產生、控制、接收、變換、進行能量轉換等。
衡量二極管特性和核心是二極管的伏安特性曲線（簡稱I/V特性）
二極管分硅管和鍺管
材料類型 | 死區電壓 | 正向導通電壓 |
硅（Si） | 0.5V | 0.6-0.8V |
鍺（Ge） | 0.1V | 0.2-0.3V |
如何測試二極管的I/V特性？以常見的1N4148保護二極管為例
TH199X方案VS傳統方案，區別在哪兒?
只需8步，可以將二極管正反向IV曲線全部測出，全程觸摸屏操作，無需連接電腦上位機，曲線可直接截屏及生成csv表格，快捷簡單。
因此，使用TH199X系列精密源/測量單元（SMU）測試更**、更快捷，適合從產線到實驗室各種場合。
