干式光刻膠灰化、剝離和脫渣使用氧等離子體產生自由基氧，以化學方式去除硅片上的光刻膠層。氧等離子體灰化的副產物是無毒的。它比濕法蝕刻工藝更環保。等離子體內的高能電子可以分解氧分子并產生活性氧原子。然后，氧自由基可以氧化光刻膠并產生高蒸氣壓副產物 CO、CO2 和 H2O。添加少量的CF4或SF6氣體可以顯著提高光刻膠的蝕刻速率，因為高活性氟原子可以提高從光刻膠聚合物中提取氫氣的速度。
在 Tergeo-plus 等離子體系統中使用氧等離子體進行光刻膠灰化。
光刻膠脫渣是光刻膠圖案化和顯影后的一種額外的溫和光刻膠蝕刻工藝。它用于去除殘留在發達區域的殘留光刻膠浮渣。這種殘留物會阻止后續的干法或濕法刻蝕步驟，并影響晶圓上蝕刻速率的均勻性。除渣步驟還可以改善光刻膠掩模的側壁輪廓，提高工藝均勻性。
對于在硅或石英晶圓上制造的MEMS器件，晶圓表面的有機污染物會增加水接觸角，使表面疏水。氧等離子體處理可以很容易地去除有機污染物，使表面具有親水性。在執行引線鍵合步驟之前，去除焊盤上的有機污染物也很重要。
氧等離子清洗可以去除晶圓表面的有機污染物，提高表面潤濕性
