我們這里所說的是指具有較低紅外吸收系數的單晶。在ＫＢｒ原料中，適量添加ＫＢｒ３，可利用ＫＢｒ３在熱分解過程中產生的游離溴去除ＫＢｒ原料中的含氧基團，純化原料。用提拉法在大氣環境中也能生長出低吸收系數的大尺寸優質ＫＢｒ單晶。采用提拉法生長KBr單晶 ,設計合理的溫場 ,探索*的生長工藝條件 ,可以生長出了具有高透過、低吸收和光學均勻性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的單晶 ,同時還應該知道影響其光學性能的各種因素 ,以及提高透過、消除吸收峰的各種方法。其紅外吸收系數在１×１０ˉ?ｃｍˉ¹數量級。ZUI高級ＫＢｒ單晶透過波段寬(03～34ｕｍ),本征吸收系數β106μｍ≈20×10-7/ｃｍˉ¹比用普通方法生長的ＫＢｒ單晶的吸收系數降低２個數量級。這些都必須通過高壓釜經過連續保溫才能生長出合格的單晶。
是ZUI常用的窗片材料。晶片硬度小，易加工，價格便宜。隨著晶片使用次數的增多，晶片表面劃痕越來越多。晶片表面越容易被有機物污染。如果測試的有機液體含有少量的水，水會溶解晶片表面的，使晶片表面下凹，導致以后測試時液膜中出現氣泡或液膜厚度不易掌握。當出現以上情況時，應將晶片拋光。
現有的拋光方法有用拋光機拋光，或用拋光附件拋光。但無論哪種方法都無法有效拋光晶片表面，拋光精度差，導致紅外波段的透過率較低，且對晶片表面損傷較大。
技術實現要素：
本發明要解決的技術問題是現有的晶片拋光方法無法實現有效拋光，影響紅外波段的透過率，且會損傷晶片表面，為此提供一種晶片的拋光方法。
本發明的技術方案是：晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至50-60℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10-20min，離心機轉速為200-250r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6-10min，離心機轉速為300-350r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的晶片，用干凈絨布擦干晶片表面。
本方法的有益效果是將晶片置于真空環境中，利用加熱后的酒精的揮發性在氮氣的壓迫下附著在晶片表面，在離心機的高速旋轉下霧化的酒精均勻附著在晶片表面，逐漸溶解氣表面的有機物，再通入乙MI，在離心機的高速旋轉下進行深程度的清潔，使其表面恢復光潔，后取出擦干的晶片即去除了表面的有機物和劃痕，又ZUI大程度的降低了被酒精和乙MI溶解的量，延長的使用壽命。
具體實施方式
下面結合實施例對本方法做進一步說明。
實施例1：晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至50℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10min，離心機轉速為200r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6min，離心機轉速為300r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的晶片，用干凈絨布擦干晶片表面。
實施例2：晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將JUE對酒精加熱至55℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心15min，離心機轉速為225r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心8min，離心機轉速為325r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的晶片，用干凈絨布擦干晶片表面。
實施例3：晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將晶片置于密閉錐形容器內，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至60℃后放入密閉容器內，對密閉容器內充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心20min，離心機轉速為250r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心10min，離心機轉速為350r/min；（5）、取出密閉錐形容器內的晶片，用干凈絨布擦干晶片表面。
本方法的構思是將晶片置于真空中隔絕外部環境的干擾，將酒精也就是*和鎂反應得到的99%乙醇加熱至50-60℃，加速其分子運動，將酒精置于密閉錐形容器內，利用其揮發性逐漸揮發成氣體，由于其不含水分，所以不會對晶片造成大的損傷。通入氮氣是為了將揮發后的酒精氣體約束在晶片表面，再將密閉錐形容器放入離心機中高速旋轉，利用密閉錐形容器的結構特點使得氮氣在其內發生回旋，利用離心力使得酒精氣體在晶片表面旋轉摩擦，溶解剝離其表面的有機液體，接著向晶片滴加乙MI，高速旋轉離心機，進一步增強去污效果，經過這幾步處理后的晶片即去除了表面殘留的有機液體，修復表面的劃痕，恢復其透光率，又控制了酒精和乙MI對其表面的腐蝕程度，延長了晶片的單片使用壽命。
