柱后衍生系統利用衍生反應使被測物與相應的試劑分析反應，以改變其物理或化學性質，使其被檢測到。例如將發色基團或熒光基團鍵合到樣品中去，多極放大檢測靈敏度，開創了性能、價格及外形的新標準。
柱后衍生系統的功能簡介：
（1）柱后衍生反應系統既能夠一體化設計，也能夠分體設計。
（2）既能夠電腦溫控設定、記錄，也能夠單獨面板按鍵控溫設定。
（3）*的半導體制冷技術為柱后衍生冷卻系統所采用，高溫度的反應液在高精度的溫控儀的作用下能夠被降低到0-室溫，任意可調。
（4）±0.3攝氏度為控溫精度。
目前相控陣技術主要通過調控放大器的位置和總共架構方式來實現的，下面就將這些基本原理，用簡單的語言，以及精煉的語言的方式呈現給大家。
相控陣原理圖相控陣技術簡要概述在基本原理中，其中可以選擇展示相控陣相變輻射源的脈沖產生原理，輻射源的位置和偏振反向調制關系圖，射入發射陣列光子隨相應方向的觀測函數圖和相鄰排序發射方向的大小關系圖。
相控陣技術的柱后衍生系統介紹就是利用了相變輻射源的微調制技術，即接受一定的觀測函數圖后，再通過增強輻射源在發射方向尺寸的方式對輻射源進行調制。
衍生技術的相變輻射源，從理論上講可以是任何帶磁場的東西，其中包括恒星能量場、磁場、磁場場強度和光線場強度以及其他相對大型的場景，相控陣調控相變輻射源在相控陣調控原理中，通過獲取相應場的樣品來分析數據。
