薄膜鈮酸鋰晶圓（LNOI）的生產制造技術與傳統SOI晶圓制造方法相同，大多基于"Smart-cut"技術實現，該項技術于1998年申請【1】，到2018年截止，目前該項技術已經不受保護，可無償使用。
LNOI晶圓制備過程如下下圖所示，包括以下五個步驟：（1）離子注入；（2）襯底準備；（3）薄膜鍵合；（4）退火及剝離；（5）CMP平坦化。
如下圖b所示，利用離子注入機，從鈮酸鋰晶體上表面打入高能的He離子，特定能量的He離子進入晶體后，受到LN晶體中原子和電子的阻撓，會逐漸減速并停留在特定深度位置，破壞該位置附近處的晶體結構，將LN晶體分成上下A/B兩層，而A區將會是我們需要制備LNOI所需要的薄膜。
第二步：襯底制備（鈮酸鋰晶圓LNOI制備技術無塵烘箱）
要做薄膜鈮酸鋰晶圓，肯定不能讓幾百nm的LN薄膜處于懸空狀態，必須有底層支撐材料。常用的SOI晶圓，襯底都是一層厚度大于500um的硅晶圓，然后在其表面制備SiO2介質層，最后將單晶硅薄膜鍵合在上表面，形成SOI晶圓。
對于LNOI晶圓一樣，常用的襯底有Si和LN這兩種材料，然后通過熱氧或PECVD沉積工藝制備SiO2介質層，如果介質層表面不平整，還需要化學機械研磨CMP工藝，使其上表面光滑平整，便于后續的鍵合工藝。
第三步：薄膜鍵合（鈮酸鋰晶圓LNOI制備技術無塵烘箱）
利用晶圓鍵合設備，將注入離子后的LN晶體反轉180度，鍵合到襯底上。對于晶圓級生產而言，襯底與LN兩者的鍵合表面都做了平整化處理，通常采用直接鍵合方式鍵合，中間不需要粘結劑材料。
而對于科學研究而言，還可以采用BCB（benzocyclobutene）作為中間層粘結劑材料，實現Die to Die的鍵合，采用BCB鍵合方式，對鍵合表面平整度要求較低，非常適合于科研實驗中。但是BCB不具有長期穩定性，所以在晶圓生產中，通常不會采用BCB鍵合。
將兩種晶體表面貼合擠壓后，還需高溫退火及剝離工藝。兩種晶體表面貼合后，首先在特定溫度下維持一定時間，加強界面鍵合力，同時使得注入離子層氣泡化，使得A,B兩層薄膜逐漸分離開，最后用機械設備將兩者剝離開，然后再逐漸降低溫度至室溫，完成整個退火及剝離工藝。退火工藝作用：
（1）較高的溫度能夠使得鍵合界面的鍵合力增加，使得鍵合的薄膜更牢固。（2）較高的溫度能偶使得注入離子層氣泡化，使得A,B兩層薄膜逐漸分離開。（3）高溫退火也會修復A層薄膜內受離子注入損傷的晶體，使其恢復單晶材料特性。
經過退火剝離后的LNOI晶圓，其表面是粗糙的，不平整的，需要進一步做CMP平坦化處理，使得晶圓表面薄膜平整，降低表面粗糙度。
