半導體功率元件正朝著大電流、高電壓、快速開關、低功耗、易保護、模塊化方向發展。隨著半導體元件制造技術的進步和制造工藝的提高，出現了雙極晶體管GP功率場效應晶體管MOSFET功率絕緣柵控制雙極晶體管IGBTtiGBT晶體管是一種結合了GP和MOSFET優點的復合器件。它具有高MOSFET輸入阻抗、高速、低開關損耗和驅動電路。它簡單，需要低驅動功率，高極限工作溫度，易于驅動。該直流高壓發生器穩定運行的方法還具有功率晶體管GP導通電壓低、耐壓高、電流容量大的優點。它是壓控通斷自關斷器件的頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內正常工作。功率元件IGBT越來越廣泛地應用于變頻電源中，體積小、噪聲低、性能高。在大功率交流伺服電機調速系統中，直流高壓發生器在高頻應用中占據主導地位，并已開始在上述領域取代功率雙極晶體管GP和功率場效應晶體管。與GP和MOSFET一樣，IGBT應用的關鍵問題是驅動電路和保護電路。本文基于IGBT在實際工作中的應用，討論IGBT驅動和保護問題。
電力電子行業占有相當大的比重。介紹開關電源的電磁兼容性的文章很多。低功耗反激電源是市場上的電源之一。但考慮到市場化，只能使用低功耗反激電源。一級EMI濾波，無散熱片，有很重要的一點，要考慮可制造性，這和純電磁兼容研究有很大的不同。
一種是從封裝的上表面到空氣，集成電路的熱阻和晶體管的熱阻幾乎相同，集成電路（IC散熱主要有兩個方向，另一種是從IC下降到PCB板，然后從板轉移到空氣中，當IC通過自然對流傳遞熱量時，上傳到直流高壓發生器的部分很小，向下轉移的部分到板占大部分，接引腳或焊球。具體的板法散熱方式不同，但這會增加制造成本和復雜度。封裝熱阻的提高可以主要是通過結構設計、材料特性變化和額外的散熱增強裝置，安裝一個影響更大的散熱器.
直流高壓發生器的貼片電感具有以下特點：
1. 平坦的底面適合表面安裝，
2.不同端面具有良好的可焊性和低阻抗特性，
3、高Q值、低直流電阻的直流高壓發電機低速運行時，
4、低漏磁、高耐流特性，便于自動組裝。 5. 可提供膠帶包裝。普通功率電感器與大電流電感器的區別： 此外，它還有以下特點。大電流電感具有所有貼片功率電感的特點。
直流高壓發生器的電感線圈采用粗痛絲和扁絲纏繞而成，具有以下特點：
1、可承受大電流，可承受大電流，可承受80A電流，密封性好，穩定性高。
2、高穩定性、大電流電感采用全封閉磁屏蔽結構，單片機直流高壓發生器，
3、適用范圍廣，大電流電感具有的耐候性，可用于電腦主板、顯卡等長時間工作的設備、濾波電路等，而普通功率電感只能作為DC-DC模塊使用，雖然效果一樣，但大電流電感的責任比普通功率電感要大很多，并且具有的穩定性。目前，很多電腦主板廠商都在開發用大電流電感做成的濾波電路。
