將500億個晶體管集成到指甲大小的芯片上？藍色巨人稱：我們做到了！最近，IBM宣布了其2納米工藝技術，比目前主流的7納米芯片速度快45%，功耗低75%。然而，2nm的提出引發了對過程節點名稱的新思考。
在IBM研究院的阿爾巴尼工廠制造的2納米晶圓
每十年是檢驗摩爾定律極限的時期，2021年開始的十年也不例外。
隨著EUV技術的發展和其他技術的進步，晶體管的尺寸已經減小。目前，這項技術正成為瓶頸。
根據IBM的新技術，這種架構平衡了性能和能源效率——比目前主流的7Nm芯片快45%，功耗低75%。
這則消息，就像一部大片，長期以來主導著臺積電、三星和英特爾的芯片行業，讓IBM有了生存的感覺。
必須澄清的是，工藝節點稱為“2nm”，這與傳統的線寬不同。
一個2nm芯片制造技術，2nm標簽，你明白了嗎。
在過去，這個尺寸曾經是芯片上二維特征尺寸的一個等價度量，即90nm、65nm和40nm。
然而，隨著FinFET和其他3D晶體管設計的出現，當前的工藝節點名稱是對“等效2D晶體管”設計的一種解釋。一般來說，晶體管密度是一個精確的測量，如英特爾所倡導的。
例如，英特爾的7Nm工藝與臺積電的5nm工藝相同；臺積電的5nm工藝沒有50%的改進（它比7納米工藝提供15%的改進）。把它稱為5nm過程是牽強的。據IBM稱，他們的“2nm”技術比臺積電的7Nm工藝好50%，所以現在寬松的標準是3.5Nm。
但這不代表IBM的新消息沒有技術含量。
IBM表示，這種新芯片的“指甲大小”芯片中有多達500億個晶體管，這使得IBM的晶體管密度達到每平方毫米3.33億個晶體管（MTr / mm 2）。
不同的工廠有不同的名稱和不同的密度。令人吃驚的是，這些密度數字被列為晶體管庫的峰值密度，芯片面積是峰值關注點，而不是頻率擴展功率和熱因素，處理器部分的密度是這些數字的一半。
IBM沒有明確說明全向柵/納米芯片晶體管的發展。圖為全新2nm處理器采用三層砷化鎵設計。
ibm2納米硅制造工藝的橫截面：GAA疊層。
此前，三星推出了3nm的GAA，而臺積電則要等到2nm。相比之下，英特爾在5nm工藝中引入了某種形式的砷化鎵。
該工藝由每個翅片中的三個柵繞（GAA）納米溝道組成。
據IBM稱，這項先進技術的潛在好處可能包括：
將手機的電池壽命提高四倍，并要求用戶每四天給手機充電一次。
