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磁敏電阻式位移傳感器，就是利用被測物體在磁場中位移時，和被測物體牢固相連的磁 敏電阻或磁性薄膜磁敏電阻的阻值就發生變化，同時與磁敏電阻相連結的電路中的輸出電壓 也發生變化。這個輸出電壓的變化大小就代表了被測物體的位移。

由于磁敏電阻有半導體磁敏電阻和磁性薄膜磁敏電阻之分，因而由它們構成的位栘傳感器就可分為半導體磁敏電阻式位移傳感器和磁性薄膜電阻式位移傳感器兩類。

 1.13.1 半導體磁敏電陰式位移傳感器

 1.半導體磁敏電阻及其特性

圖1.13.是表示半導體磁敏電阻的基本構造。圖1.13.1(a)是表示用銻化錮（InSb)半導體材料做成的，并用金屬和它進行歐姆接觸形成的歐姆性電極。圖1.13.1(b)是表示在銻化 銦節導體材料上，外延生長金屬鎳(Ni)的針狀紡晶。當高速移動磁敏電阻吋，磁敏電阻電極間的電阻隨外加磁場增大而增加，而極間電流則產生傾斜狀。它們的具體特性如圖1.13.2和圖1.13.3所示。
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