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KST壓力傳感器在義齒力學(xué)研究中的應(yīng)用

義齒下方粘膜及粘膜下方的力學(xué)性能研究，對(duì)于義齒修復(fù)后，義齒下方粘膜及粘膜下方的骨組織所承受的作用力機(jī)理研究有重要意義。指導(dǎo)修復(fù)形狀，使作用力在允許范圍之內(nèi)，并對(duì)作用力超過(guò)允許力時(shí)，對(duì)支持組織產(chǎn)生損傷進(jìn)行評(píng)價(jià)。多年來(lái)，對(duì)這個(gè)作用力的測(cè)定一直為口腔修復(fù)學(xué)界和醫(yī)用傳感器研究者所關(guān)注，且現(xiàn)有的測(cè)定方法多是在義齒基托下方粘貼一個(gè)貼片壓阻式壓力傳感器，但貼片壓阻式壓力傳感器的彈性模量與義齒基托不一致，與檢測(cè)組織表面也不吻合，也難與周圍基托表面平齊，所測(cè)力的大小誤差比較大，而且難以測(cè)定出力的分布情況_1 ]。針對(duì)這些問(wèn)題，文中采用KST電容式壓力傳感器的原理，設(shè)計(jì)了一個(gè)長(zhǎng)x寬x高為2．2 mmx 1．8 mmx 0．6mm的KST電容式壓力傳感器，再采用分布式埋植入義齒基托內(nèi)的方法，能夠準(zhǔn)確測(cè)試出義齒下方粘膜及粘膜下方的骨組織所承受的力和力的分布。該傳感器結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，測(cè)量穩(wěn)定性好，具有良好的線性度，力的最小分辨率為0．1克，靈敏度高，能夠在一100℃～200℃ 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，具有寬的溫度適用范圍，能夠適用于口腔的惡劣環(huán)境下作用力的測(cè)定。

　　1 傳感器的工藝流程

　　傳感器是采用KST工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)_34]，采用到的工藝有：氧化、光刻、套刻、擴(kuò)散、ICP刻、鍍膜、硅一玻璃鍵合等工藝。加工過(guò)程主要包括硅片上的加工工藝，玻璃上的加工工藝，以及硅一玻璃鍵合后的加工工藝。

　　半導(dǎo)體硅片經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、擴(kuò)散、再氧化、套刻、刻蝕，從而完成了硅片正面的工藝，主要包括凹槽和絕緣層的形成。反面再經(jīng)過(guò)反面光刻、刻蝕、形成正負(fù)電極引出線PAD和填充凹槽。其中，擴(kuò)散的目的是為了形成2 m左右的功能性硼硅膜(P+膜)，在進(jìn)行擴(kuò)散前，對(duì)硅片應(yīng)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗。由于擴(kuò)散時(shí)，硅表面會(huì)與氧氣發(fā)生作用而形成了一層硼硅玻璃，所以要去除。使用濕法腐蝕去表面多余附著的硼硅玻璃。在玻璃的加工中，選用廈門福芯微電子科技有限公司的7740玻璃晶片，經(jīng)過(guò)光刻、鍍膜形成玻璃上濺射的金屬層，即為下極板金屬電極。再經(jīng)過(guò)硅一玻璃鍵合、刻蝕、ICP刻、鍍膜，從而完成了整個(gè)傳感器的制作。在一片硅片上集成的器件，通過(guò)切片將硅片劃分為一個(gè)個(gè)的小器件，以便下一步的封裝和測(cè)試。

　　2 封裝和測(cè)試

KST壓力傳感器在義齒力學(xué)研究中的應(yīng)用

　　在對(duì)單個(gè)傳感器負(fù)載下的壓力測(cè)試中，本課題組采用的方法是：使用與義齒基托相同材料的樹(shù)脂作為底基，在樹(shù)脂上挖一個(gè)邊長(zhǎng)為2 mm平整的方形小坑，將傳感器埋植進(jìn)去，再采用相同材料的冷凝樹(shù)脂和義齒基托專用樹(shù)脂混合，滴在傳感器表面封裝平整，使其平面與底基平面一致，待其凝固后，就可以得到表面材質(zhì)與義齒材質(zhì)一致的覆蓋面，封裝后如圖1所示。

封裝后圖形

　　在對(duì)埋植在底基中的傳感器施加040．67 MPa(0-90 psi)范圍內(nèi)的壓力進(jìn)行施加壓力與輸出電壓的關(guān)系進(jìn)行測(cè)試，得到如圖2所示的測(cè)試電容時(shí)所施壓力與輸出電壓的分布關(guān)系和多項(xiàng)式擬合曲線。在圖2中，對(duì)其中一點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試并對(duì)測(cè)試的各點(diǎn)進(jìn)行多項(xiàng)式擬合，得到的擬合趨勢(shì)線的R平方值為0．9901，表明測(cè)試中輸出的電壓分布和擬合曲線具有良好的擬合度，在后續(xù)工作中編程時(shí)以趨勢(shì)線作為外界施加壓力與輸出電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，其誤差值很小。

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壓力傳感器