產品簡介
技術參數品牌：TI/德州儀器型號：CSD19532Q5B封裝：VSON8批次：21+數量：100000制造商：TexasInstruments產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：VSON-CLIP-8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：140ARdsOn-漏源導通電阻：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI/德州儀器 |
| 型號： | CSD19532Q5B |
| 封裝： | VSON8 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 100000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | VSON-CLIP-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 140 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | V |
| Qg-柵極電荷： | 48 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 195 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1 mm |
| 長度： | 6 mm |
| 系列： | CSD19532Q5B |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 5 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 84 S |
| 下降時間： | 6 ns |
| 上升時間： | 6 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 22 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7 ns |
| 單位重量： | mg |
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