技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STB6NK60Z-1 |
| 封裝： | TO-262-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 999999 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-262-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | 6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 30 V, + 30 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | SuperMESH |
| 配置： | Single |
| 高度： | mm |
| 長度： | 10 mm |
| 系列： | STB6NK60Z-1 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | mm |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 下降時間： | 19 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 14 ns |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 47 ns |
| 典型接通延遲時間： | 14 ns |
| 單位重量： | g |
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