技術參數(shù)
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRLR120NTRPBF |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數(shù)量： | 8000 |
| QQ： | 884827 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： | 10A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 185 毫歐 @ 6A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±16V |
| 功率耗散（值）： | 48W（Tc） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | D-Pak |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 100 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 20 nC @ 5 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 440 pF @ 25 V |
| 基本產(chǎn)品編號： | IRLR120 |
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