產品簡介
技術參數品牌:ON/安森美型號:NTR4003NT1G批次:22+數量:240000制造商:ONSemiconductor產品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:SOT-23-3通道數量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續漏極電流:560mARdsOn-漏源導通電阻:1
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | ON/安森美 |
| 型號: | NTR4003NT1G |
| 批次: | 22+ |
| 數量: | 240000 |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | SOT-23-3 |
| 通道數量: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
| Id-連續漏極電流: | 560 mA |
| Rds On-漏源導通電阻: | 1.5 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 4 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 800 mV |
| Qg-柵極電荷: | 1.15 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 690 mW |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 高度: | 0.94 mm |
| 長度: | 2.9 mm |
| 系列: | NTR4003N |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 寬度: | 1.3 mm |
| 正向跨導 - 最小值: | 0.33 S |
| 下降時間: | 64.2 ns |
| 上升時間: | 47.9 ns |
| 典型關閉延遲時間: | 65.1 ns |
| 典型接通延遲時間: | 16.7 ns |
| 單位重量: | 8 mg |
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