技術參數
| 品牌： | INFINEON/英飛凌 |
| 型號： | BF998 |
| 批次： | 22+ |
| 數量： | 240000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Id-連續漏極電流： | 30 mA |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 12 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-143 |
| 配置： | Single Dual Gate |
| 正向跨導 - 最小值： | 0.024 S |
| Pd-功率耗散： | 200 W |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
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