技術參數(shù)
| 品牌： | TI |
| 型號： | TPS1101DR |
| 封裝： | SOP8 |
| 批次： | 20+ |
| 數(shù)量： | 10296 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOIC-8 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 15 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 2.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 90 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 15 V, 2 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | - 1.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 11.25 nC |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 791 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.75 mm |
| 長度： | 4.9 mm |
| 系列： | TPS1101 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 寬度： | 3.9 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 4.3 S |
| 下降時間： | 5.5 ns |
| 上升時間： | 5.5 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 19 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.5 ns |
| 單位重量： | 76 mg |
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