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深圳市金諾科科技有限公司

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當前位置:深圳市金諾科科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> SI2325DS-T1-E3威世 場效應管 SI2325DS-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

威世 場效應管 SI2325DS-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

產品二維碼
參   考   價: 18.5
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:SI2325DS-T1-E3
  • 品牌:
  • 產品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2022-10-19 11:31:39
  • 瀏覽次數:7
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其他

  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:1021條
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產品簡介

技術參數品牌:威世型號:SI2325DS-T1-E3封裝:SOT23-3批次:1727+數量:10296對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導體產品產品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:威世
型號:SI2325DS-T1-E3
封裝:SOT23-3
批次:1727+
數量:10296
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
系列:TrenchFET®
FET 類型:P 通道
漏源電壓(Vdss):150V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):530mA(Ta)
驅動電壓( Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(值):1.2 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值):12nC @ 10V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值):510pF @ 25V
功率耗散(值):750mW(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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