技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | MICROCHIP/微芯 |
| 型號(hào)： | TN2106K1-G |
| 批號(hào)： | |
| 封裝： | SOT23-3 |
| 數(shù)量： | 16800 |
| QQ： | |
| 制造商： | Microchip |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-23-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 280 mA |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 2.5 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 600 mV |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.95 mm |
| 長度： | 2.9 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 1.3 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 150 mS |
| 下降時(shí)間： | 5 ns |
| 上升時(shí)間： | 5 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 6 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 3 ns |
| 單位重量： | 8 mg |
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場(chǎng)無關(guān)。