產品簡介
技術參數品牌：TI型號：CSD88539NDT批號：19+封裝：N/A數量：12600QQ：制造商：TexasInstruments產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOIC-8晶體管極性：N-Channel通道數量：2ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：11
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | TI |
| 型號： | CSD88539NDT |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | N/A |
| 數量： | 12600 |
| QQ： | |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOIC-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 60 V |
| Id-連續漏極電流： | 11.7 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 28 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.6 V |
| Qg-柵極電荷： | 7.2 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.1 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.75 mm |
| 長度： | 4.9 mm |
| 系列： | CSD88539ND |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 寬度： | 3.9 mm |
| 下降時間： | 4 ns |
| 上升時間： | 9 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 14 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5 ns |
| 單位重量： | 540 mg |
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