產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STGWA40H120F2批號：20+封裝：原廠封裝數量：30000QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管技術：Si安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STGWA40H120F2 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 30000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | IGBT 晶體管 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 2.5 V |
| 柵極/發射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續集電極電流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 468 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| 系列： | STGWA40H120F2 |
| 商標： | STMicroelectronics |
| 集電極連續電流： | 40 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | 250 nA |
| 產品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數量： | 600 |
| 子類別： | IGBTs |
| 單位重量： | 6.100 g |
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