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當前位置:深圳容之芯科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> STF18N65M5ST 場效應管 STF18N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

ST 場效應管 STF18N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:STF18N65M5
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-11-04 17:36:01
  • 瀏覽次數(shù):6
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1175條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-11-04
  • 最近登錄:2023-11-04
  • 聯(lián)系人:趙小姐
  • 電    話:18923755375
產(chǎn)品簡介

技術參數(shù)品牌:ST型號:STF18N65M5批號:20+封裝:原廠封裝數(shù)量:30000QQ:制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:ThroughHole封裝/箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:650VId-連續(xù)漏極電流:9

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:ST
型號:STF18N65M5
批號:20+
封裝:原廠封裝
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:9.4 A
Rds On-漏源導通電阻:220 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:31 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
系列:Mdmesh M5
晶體管類型:1 N-Channel
單位重量:330 mg
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